- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1
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- 名称：2KBP08M-E4/45
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:桥式整流器RoHS: 详细信息类型:Single Phase Bridge安装风格:Through Hole端接类型:Solder Lead封装 / 箱体:KBPMIf - 正向电流:2 A峰值反向电压:800 VVf - 正向电压:1.1 V最大浪涌电流:60 A最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 165 C长度:15.24 mm宽度:5.08 m
- 更新：2022-09-30 10:38:54
- 2
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- 名称：2N2222A
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Microchip产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:N安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-18-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V集电极—基极电压 VCBO:75 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:1 V最大直流电集电极电流:800 mAPd-功率耗散:500 mW增益带
- 更新：2022-09-30 10:38:15
- 3
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- 名称：2N7002-7-F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:210 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-09-30 10:37:30
- 4
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- 名称：2N7002A-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:220 mARds On-漏源导通电阻:6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-09-30 10:36:42
- 5
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- 名称：2N7002AQ-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:220 mARds On-漏源导通电阻:6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-09-30 10:35:23
- 6
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- 名称：2N7002DW-7-F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:70 VId-连续漏极电流:230 mARds On-漏源导通电阻:7.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新：2022-09-30 10:34:42
- 7
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- 名称：2N7002E-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:240 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-09-30 10:34:02
- 8
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- 名称：2N7002K-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:380 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-09-30 10:32:51
- 9
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- 名称：2N7002K-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:300 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-09-30 10:31:59
- 10
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- 名称：2N7002K-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:300 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-09-30 10:31:18
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