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深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1811
  • 名称:SPIRIT1QTR
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:射频收发器RoHS: 详细信息类型:Wi-Fi频率范围:150 MHz to 174 MHz, 300 MHz to 348 MHz, 387 MHz to 470 MHz, 779 MHz to 956 MHz最大数据速率:500 kbps调制格式:2-FSK, ASK, GFSK, GMSK, MSK, OOK电源电压-最小:1.
    更新:2022-07-28 10:15:40
  • 1812
  • 名称:SPP17N80C3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
    更新:2022-07-28 10:13:10
  • 1813
  • 名称:SPW17N80C3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
    更新:2022-07-28 10:11:26
  • 1814
  • 名称:SPW47N60C3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:47 ARds On-漏源导通电阻:70 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
    更新:2022-07-28 10:09:23
  • 1815
  • 名称:SQ2301ES-T1_GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3.9 ARds On-漏源导通电阻:120 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQg
    更新:2022-07-28 10:07:28
  • 1816
  • 名称:SQ2308CES-T1-GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.3 ARds On-漏源导通电阻:150 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
    更新:2022-07-28 10:05:02
  • 1817
  • 名称:SQ2309ES-T1_GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:1.7 ARds On-漏源导通电阻:268 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
    更新:2022-07-28 10:03:01
  • 1818
  • 名称:SQ2310ES-T1_GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:24 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
    更新:2022-07-28 10:01:04
  • 1819
  • 名称:SQ2319ADS-T1_GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:4.6 ARds On-漏源导通电阻:75 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQ
    更新:2022-07-28 09:59:13
  • 1820
  • 名称:SQ2361AEES-T1_GE3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.8 ARds On-漏源导通电阻:170 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
    更新:2022-07-28 09:57:17
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