- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2761
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- 名称：BQ24104RHLR
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Texas Instruments产品种类:电池管理RoHS: 详细信息产品:Charge Management电池类型:Li-Ion, Li-Polymer输出电压:4.2 V输出电流:2 A工作电源电压:4.3 V to 16 V封装 / 箱体:VQFN-20安装风格:SMD/SMT系列:BQ24104封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texa
- 更新：2022-06-28 17:23:55
- 2762
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- 名称：BQ24075RGTR
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Texas Instruments产品种类:电池管理RoHS: 详细信息产品:Charge Management电池类型:Li-Ion输出电压:4.2 V输出电流:1.5 A工作电源电压:4.3 V to 6.4 V封装 / 箱体:VQFN-16安装风格:SMD/SMT系列:BQ24075封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instrum
- 更新：2022-06-28 17:17:52
- 2763
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- 名称：IPA80R310CE
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3Vds-漏源极击穿电压:800 V封装:Tube商标:Infineon Technologies高度:16.15 mm长度:10.65 mm产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs宽度:4.85 mm单位重量:2 g
- 更新：2022-06-28 17:13:21
- 2764
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- 名称：IRFP4768PbF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:250 VId-连续漏极电流:93 ARds On-漏源导通电阻:17.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-06-28 17:05:54
- 2765
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- 名称：ICE3RBR0665JZ
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:交流/直流转换器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:PDIP-7系列:ICE3RBR0665封装:Tube商标:Infineon Technologies产品类型:AC/DC Converters工厂包装数量:2000子类别:PMIC - Power Management ICs零件号别名:SP001087246 ICE3RBR0665JZXKLA1单位重量:851 mg
- 更新：2022-06-28 17:02:48
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- 名称：IPA60R180C7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3商标名:CoolMOS封装:Tube商标:Infineon Technologies高度:16.15 mm长度:10.65 mm产品类型:MOSFET系列:CoolMOS C7子类别:MOSFETs宽度:4.85 mm单位重量:2 g
- 更新：2022-06-28 17:00:21
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- 名称：IPA50R190CE
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3Vds-漏源极击穿电压:500 VRds On-漏源导通电阻:190 mOhms封装:Tube商标:Infineon Technologies高度:16.15 mm长度:10.65 mm产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs宽度:4.85 mm单位重量:2 g
- 更新：2022-06-28 15:11:51
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- 名称：IPP50R190CE
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:24.8 ARds On-漏源导通电阻:190 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈
- 更新：2022-06-28 15:09:48
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- 名称：AUIRLR2908
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:39 ARds On-漏源导通电阻:22.5 mOhmsQg-栅极电荷:22 nC最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:120 W资格:AEC-Q101封装:Tube商标:Infineon / IR高度:2.3 mm长度:6.5 mm产品类型:MOSFET工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:6.22 mm零件号别名:SP001518234单位重量:330 mg
- 更新：2022-06-28 14:58:49
- 2770
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- 名称：IRL3713SPBF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:200 ARds On-漏源导通电阻:4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VQg-栅极电荷:75 nC最小工作温度:
- 更新：2022-06-28 14:51:51
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