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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 2801
  • 名称:IPD50P04P4-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:12.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:39 nC最小
    更新:2022-06-27 17:38:20
  • 2802
  • 名称:BSC040N10NS5
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TDSON-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
    更新:2022-06-27 17:34:32
  • 2803
  • 名称:BSC0504NSI
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:Infineon商标:Infineon Technologies封装:Reel
    更新:2022-06-27 17:26:41
  • 2804
  • 名称:IPD90N04S4L-04
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:3.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极电荷:60 nC最
    更新:2022-06-27 17:22:10
  • 2805
  • 名称:IPD50N06S4L-12
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:9.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2
    更新:2022-06-27 17:16:51
  • 2806
  • 名称:IPT012N08N5
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si封装 / 箱体:HSOF-8封装:Reel商标:Infineon Technologies产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs
    更新:2022-06-27 17:13:55
  • 2807
  • 名称:IPD30N08S2-22
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:75 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:17.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.1
    更新:2022-06-27 17:10:42
  • 2808
  • 名称:IPD30N06S2L-13
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:55 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:10.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2
    更新:2022-06-27 17:05:29
  • 2809
  • 名称:MT48LC4M16A2P-6A IT:J
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息类型:SDRAM安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-54数据总线宽度:16 bit组织:4 M x 16存储容量:64 Mbit最大时钟频率:167 MHz访问时间:5.4 ns电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V电源电流—最大值:100 mA最小工作温度:- 40 C最大
    更新:2022-06-27 17:00:45
  • 2810
  • 名称:MT46H64M16LFBF-5 IT:B
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息类型:SDRAM Mobile - LPDDR安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VFBGA-60数据总线宽度:16 bit组织:64 M x 16存储容量:1 Gbit最大时钟频率:200 MHz访问时间:5 ns电源电压-最大:1.95 V电源电压-最小:1.7 V电源电流—最大值:95 m
    更新:2022-06-27 15:11:50
电话: 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真:-- Email: 联系人: 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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