- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1991
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- 名称：STGB20NB41LZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:D2PAK-3安装风格:SMD/SMT配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V集电极—射极饱和电压:2 V栅极/发射极最大电压:12 V在25 C的连续集电极电流:40 APd-功率耗散:200 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系
- 更新：2022-07-25 16:49:26
- 1992
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- 名称：STGF15H60DF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-220-3 FP安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.6 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:30 APd-功率耗散:30 W最小工作温度:- 55 C最大工作
- 更新：2022-07-25 16:49:33
- 1993
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- 名称：STGF19NC60KD
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-220FP-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:35 APd-功率耗散:32 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:
- 更新：2022-07-25 16:49:41
- 1994
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- 名称：STGIPS20K60
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules封装 / 箱体:SDIP-25L最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C封装:Tube商标:STMicroelectronics安装风格:Through Hole产品类型:IGBT Modules系列:STGIPS20K60工厂包装数量:132子类别:IGBTs技术:Si商标名:SLLIMM单位重量:22.669 g
- 更新：2022-07-25 16:50:18
- 1995
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- 名称：STGP14NC60KD
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-220-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:11 APd-功率耗散:28 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+
- 更新：2022-07-25 16:50:28
- 1996
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- 名称：STGP7NC60HD
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-220-3 FP安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.5 V栅极/发射极最大电压:20 VPd-功率耗散:80 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:STGP7
- 更新：2022-07-25 16:50:37
- 1997
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- 名称：STGW39NC60VD
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.8 V/1.7 V栅极/发射极最大电压:20 VPd-功率耗散:250 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:S
- 更新：2022-07-25 16:23:57
- 1998
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- 名称：STGW40H65DFB
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.8 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:283 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度
- 更新：2022-07-25 16:20:47
- 1999
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- 名称：STGW60H65DFB
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.6 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:375 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度
- 更新：2022-07-25 16:18:34
- 2000
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- 名称：STGWT40H65DFB
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-3P安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.6 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:283 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+
- 更新：2022-07-25 16:16:20
