- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1981
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- 名称：STF7N80K5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新：2022-07-26 09:53:50
- 1982
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- 名称：STF7NM60N
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新：2022-07-26 09:49:57
- 1983
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- 名称：STF8N80K5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:950 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-26 09:47:50
- 1984
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- 名称：STF8NK100Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:1.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-26 09:45:58
- 1985
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- 名称：STF9NK90Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:1.3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新：2022-07-26 09:43:39
- 1986
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- 名称：STFI7N80K5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-281-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新：2022-07-26 09:41:56
- 1987
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- 名称：STFW3N150
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PF-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:9 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新：2022-07-26 09:39:41
- 1988
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- 名称：STFW4N150
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PF-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:7 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th
- 更新：2022-07-25 16:48:32
- 1989
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- 名称：STGB10NC60KDT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:D2PAK-3安装风格:SMD/SMT配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:STGB10NC60KDT4封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseRe
- 更新：2022-07-25 16:49:07
- 1990
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- 名称：STGB19NC60KDT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:D2PAK-3安装风格:SMD/SMT配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:STGB19NC60KDT4封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseRe
- 更新：2022-07-25 16:49:18
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