- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2141
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- 名称：STN851
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:150 V发射极 - 基极电压 VEBO:7 V集电极—射极饱和电压:320 mV最大直流电集电极电流:5 AP
- 更新：2022-07-21 11:37:19
- 2142
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- 名称：STN93003
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:- 400 V集电极—基极电压 VCBO:-发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V集电极—射极饱和电压:- 500 mV最大直流电集电极电流:-
- 更新：2022-07-21 11:34:10
- 2143
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- 名称：STP100N8F6
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs t
- 更新：2022-07-21 11:26:26
- 2144
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- 名称：STP10NK60ZFP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:750 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-21 11:22:20
- 2145
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- 名称：STP10NK70ZFP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:700 VId-连续漏极电流:8.6 ARds On-漏源导通电阻:850 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVg
- 更新：2022-07-21 11:18:59
- 2146
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- 名称：STP110N7F6
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:68 VId-连续漏极电流:110 ARds On-漏源导通电阻:6.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新：2022-07-21 11:16:16
- 2147
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- 名称：STP110N8F6
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:110 ARds On-漏源导通电阻:6.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新：2022-07-21 10:57:44
- 2148
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- 名称：STP11NK40ZFP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:400 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-21 10:18:28
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- 名称：STP11NK50ZFP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:520 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VV
- 更新：2022-07-21 10:06:33
- 2150
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- 名称：STP120NF10
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:120 ARds On-漏源导通电阻:10.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VV
- 更新：2022-07-21 10:01:11
