- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2161
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- 名称:STP18NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:260 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-16 09:40:02
- 2162
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- 名称:STP20NM50FP
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:250 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最
- 更新:2022-07-16 09:37:56
- 2163
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- 名称:STP20NM60
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:52:01
- 2164
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- 名称:STP20NM60FP
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:290 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:50:14
- 2165
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- 名称:STP24NF10
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:26 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:36:47
- 2166
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- 名称:STP25NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:140 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工
- 更新:2022-07-15 14:34:07
- 2167
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- 名称:STP25NM60ND
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:21 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工
- 更新:2022-07-15 14:28:55
- 2168
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- 名称:STP26NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:165 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:24:38
- 2169
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- 名称:STP2NK60Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:1.4 ARds On-漏源导通电阻:8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温
- 更新:2022-07-15 14:22:45
- 2170
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- 名称:STP30NF10
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:38 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:18:29