- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2191
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- 名称:STP60NF10
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:23 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 10:16:21
- 2192
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- 名称:STP6NK60Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新:2022-07-15 10:13:20
- 2193
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- 名称:STP6NK60ZFP
- 类别:eof
- 市场价:
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 10:10:51
- 2194
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- 名称:STP75NF20
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:75 ARds On-漏源导通电阻:34 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 10:07:44
- 2195
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- 名称:STP75NF75
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:75 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs t
- 更新:2022-07-15 10:04:10
- 2196
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- 名称:STP7NK40Z
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:400 VId-连续漏极电流:5.4 ARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新:2022-07-15 09:55:02
- 2197
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- 名称:STP7NK80Z
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:5.2 ARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 09:45:36
- 2198
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- 名称:STP7NK80ZFP
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:5.2 ARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 09:42:42
- 2199
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- 名称:STP80NF55-06
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:55 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:6.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 09:40:07
- 2200
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- 名称:STP80NF55-08
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:55 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新:2022-07-15 09:33:46