- 深圳市炎凯科技有限公司
-
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
- 联系我们
- 联系人: 白小姐 范小姐
-
微信:
- 电话: 0755-89587732 0755-89587732-8004
- 手机:18188632197 14776359389
- 传真:--
- EMail:354696650@qq.com1206384715@qq.com
- 地址: 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
-
- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2171
-
-
- 名称:STP30NF20
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:75 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:16:35
- 2172
-
-
- 名称:STP33N60M2
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:26 ARds On-漏源导通电阻:108 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-15 14:14:45
- 2173
-
-
- 名称:STP36NF06
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温
- 更新:2022-07-15 14:01:42
- 2174
-
-
- 名称:STP3N150
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:9 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-15 13:59:23
- 2175
-
-
- 名称:STP3NK80Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:4.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-15 13:57:15
- 2176
-
-
- 名称:STP3NK90Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:4.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新:2022-07-15 13:55:09
- 2177
-
-
- 名称:STP3NK90ZFP
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:4.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新:2022-07-15 13:53:14
- 2178
-
-
- 名称:STP40NF12
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:120 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作
- 更新:2022-07-15 13:51:11
- 2179
-
-
- 名称:STP40NF20
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
- 更新:2022-07-15 13:49:17
- 2180
-
-
- 名称:STP45NF06
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:38 ARds On-漏源导通电阻:28 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs t
- 更新:2022-07-15 13:47:17