- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
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- 名称：BDX53C
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:达林顿晶体管RoHS: 详细信息配置:Single晶体管极性:NPN集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—基极电压 VCBO:100 V最大直流电集电极电流:8 A最大集电极截止电流:200 uAPd-功率耗散:60 W安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-
- 更新：2022-08-25 14:47:01
- 342
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- 名称：BGA6289,135
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:NXP产品种类:射频放大器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89类型:General Purpose Amplifiers技术:Si工作频率:500 MHz to 3.5 GHzP1dB - 压缩点:16 dBm增益:17 dB工作电源电压:8 VNF—噪声系数:3.7 dBOIP3 - 三阶截点:25 dBm工作电源电流:88 mA最大工作温度
- 更新：2022-08-25 14:44:49
- 343
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- 名称：BLUENRG-132
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:RF片上系统 - SoCRoHS: 详细信息类型:Bluetooth核心:ARM Cortex M0工作频率:2.4835 GHz最大数据速率:2 Mbps输出功率:8 dBm灵敏度:- 88 dBm工作电源电压:1.7 V to 3.6 V接收供电电流:7.7 mA传输供电电流:15.1 mA程序存储器大小:160 kB工作温度范围
- 更新：2022-08-25 14:39:19
- 344
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- 名称：BPV10NF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:PIN Photodiodes安装风格:Through Hole峰值波长:940 nm暗电流:1 nAVr - 反向电压 :60 V上升时间:2.5 ns下降时间:2.5 ns半强度角度:20 deg最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C商标:Vishay Semiconductors高度:8.6 mmIf
- 更新：2022-08-25 14:36:13
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- 名称：BPV22NF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:PIN Photodiodes安装风格:Through Hole峰值波长:940 nm暗电流:2 nAVr - 反向电压 :60 V上升时间:100 ns下降时间:100 ns半强度角度:60 deg最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:BPV22NF商标:Vishay Semiconductors高
- 更新：2022-08-25 14:34:25
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- 名称：BPW24R
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:PIN Photodiodes安装风格:Through Hole峰值波长:900 nm暗电流:2 nAVr - 反向电压 :60 V上升时间:7 ns下降时间:7 ns半强度角度:12 deg最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C商标:Vishay Semiconductors高度:6.15 mm长度:5.
- 更新：2022-08-25 14:32:28
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- 名称：BPW34
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:ams OSRAM产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:PIN Photodiodes封装 / 箱体:DIL-2安装风格:Through Hole峰值波长:850 nm暗电流:2 nAVr - 反向电压 :32 V上升时间:20 ns下降时间:20 ns半强度角度:60 deg最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C资格:AEC-Q101商标:ams OSR
- 更新：2022-08-25 14:30:48
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- 名称：BPW34S
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:PIN Photodiodes安装风格:Through Hole峰值波长:900 nm暗电流:2 nAVr - 反向电压 :60 V上升时间:100 ns下降时间:100 ns半强度角度:65 deg最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 100 C商标:Vishay Semiconductors高度:2 mm长度:4
- 更新：2022-08-25 14:29:00
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- 名称：BPW76A
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:光电晶体管RoHS: 详细信息产品:Phototransistors封装 / 箱体:TO-18安装风格:Through Hole峰值波长:850 nm开启状态集电极最大电流:50 mA集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V集电极—射极击穿电压:70 V集电极—射极饱和电压:0.15 V暗电流:100 nAPd-功率耗散:250 mW最小工作温度:- 40
- 更新：2022-08-25 14:27:01
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- 名称：BS170FTA
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:150 uARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-08-25 14:23:51
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