- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 351
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- 名称:BS250FTA
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:45 VId-连续漏极电流:90 mARds On-漏源导通电阻:9 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-25 14:22:20
- 352
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- 名称:BS870-7-F
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:250 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新:2022-08-25 14:20:43
- 353
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- 名称:BSC035N04LSG
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TDSON-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:100 ARds On-漏源导通电阻:2.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2
- 更新:2022-08-25 14:18:54
- 354
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- 名称:BSN20-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:500 mARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
- 更新:2022-08-25 14:15:39
- 355
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- 名称:BSR43TA
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V集电极—基极电压 VCBO:90 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—射极饱和电压:500 mV最大直流电集电极电流:1 APd
- 更新:2022-08-25 14:04:08
- 356
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- 名称:BSS123-7-F
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:170 mARds On-漏源导通电阻:6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-25 14:01:26
- 357
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- 名称:BSS123W-7-F
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:170 mARds On-漏源导通电阻:6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
- 更新:2022-08-25 13:59:30
- 358
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- 名称:BSS127S-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:70 mARds On-漏源导通电阻:160 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
- 更新:2022-08-25 13:57:30
- 359
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- 名称:BSS138-7-F
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:3.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
- 更新:2022-08-25 13:55:15
- 360
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- 名称:BSS138DW-7-F
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:3.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新:2022-08-25 13:51:39