- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 811
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- 名称:IR2184STRPBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Infineon产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:IGBT, MOSFET Gate Drivers类型:Half-Bridge安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:2.3 A电源电压-最小:10 V电源电压-最大:20 V上升时间:40 ns下降时间:20 ns最小工作温度:- 40 C最
- 更新:2022-08-17 14:13:11
- 812
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- 名称:IRF510PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:5.6 ARds On-漏源导通电阻:540 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新:2022-08-17 10:35:10
- 813
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- 名称:IRF520PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:9.2 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新:2022-08-17 10:33:34
- 814
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- 名称:IRF530PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新:2022-08-17 10:31:54
- 815
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- 名称:IRF540PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:28 ARds On-漏源导通电阻:77 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新:2022-08-17 10:30:09
- 816
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- 名称:IRF620PBF
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:5.2 ARds On-漏源导通电阻:800 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新:2022-08-17 10:28:09
- 817
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- 名称:IRF630PBF
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新:2022-08-17 10:26:27
- 818
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- 名称:IRF640PBF
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:180 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新:2022-08-17 10:24:39
- 819
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- 名称:IRF720PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:400 VId-连续漏极电流:3.3 ARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新:2022-08-17 10:22:59
- 820
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- 名称:IRF740PBF
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:400 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新:2022-08-17 10:21:12