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深圳市炎凯科技有限公司
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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别：VIP 7年
营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 831
  • 名称：IRF9640STRLPBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:500 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg
    更新：2022-08-17 09:50:35
  • 832
  • 名称：IRFB11N50APBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:520 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电
    更新：2022-08-17 09:48:02
  • 833
  • 名称：IRFB20N50KPBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:250 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:
    更新：2022-08-17 09:45:34
  • 834
  • 名称：IRFBE30PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:4.1 ARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
    更新：2022-08-17 09:43:39
  • 835
  • 名称：IRFBF30PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:3.6 ARds On-漏源导通电阻:3.7 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
    更新：2022-08-17 09:41:51
  • 836
  • 名称：IRFBG20PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:1.4 ARds On-漏源导通电阻:11 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
    更新：2022-08-17 09:40:12
  • 837
  • 名称：IRFBG30PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4
    更新：2022-08-17 09:38:27
  • 838
  • 名称：IRFD110PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:HVMDIP-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:540 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2
    更新：2022-08-17 09:36:38
  • 839
  • 名称：IRFD120PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:HVMDIP-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:1.3 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
    更新：2022-08-17 09:34:51
  • 840
  • 名称：IRFD9120PBF
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:DIP-4晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:600 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQ
    更新：2022-08-17 09:33:07
电话： 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真：-- Email： 联系人： 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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