- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1451
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- 名称：SG3525AP013TR
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:开关控制器RoHS: 详细信息拓扑结构:Push-Pull输出端数量:2 Output开关频率:100 Hz to 500 kHz占空比 - 最大:49 %输入电压:8 V to 35 V输出电压:5.1 V输出电流:500 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-16封装:
- 更新：2022-08-03 14:11:44
- 1452
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- 名称：SI1012CR-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:600 mARds On-漏源导通电阻:396 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:400 mVQ
- 更新：2022-08-03 14:01:55
- 1453
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- 名称：SI1012R-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75A-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:600 mARds On-漏源导通电阻:700 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:450 mV
- 更新：2022-08-03 14:00:00
- 1454
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- 名称：SI1013R-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75A-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:350 mARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-栅源极阈值电压:450 mVQ
- 更新：2022-08-03 13:58:15
- 1455
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- 名称：SI1016X-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:400 mA, 600 mARds On-漏源导通电阻:750 mOhms, 1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6
- 更新：2022-08-03 13:56:31
- 1456
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- 名称：SI1031R-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:150 mARds On-漏源导通电阻:8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极
- 更新：2022-08-03 13:54:39
- 1457
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- 名称：SI1032R-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-栅源极阈值电压:400 mVQg-栅
- 更新：2022-08-03 13:52:46
- 1458
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- 名称：SI1034X-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-89-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:190 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 5 VVgs th-栅源极阈值电压:400 mVQg-栅
- 更新：2022-08-03 13:50:43
- 1459
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- 名称：SI1305DL-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI1工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI1305DL-E3单位重量:5 mg
- 更新：2022-08-03 13:48:33
- 1460
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- 名称：SI1308EDL-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:1.5 ARds On-漏源导通电阻:132 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5
- 更新：2022-08-03 13:41:45
