- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1471
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- 名称：SI2302CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.9 ARds On-漏源导通电阻:57 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:850 mVQg
- 更新：2022-08-03 11:34:38
- 1472
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- 名称：SI2303CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2.7 ARds On-漏源导通电阻:190 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg
- 更新：2022-08-03 11:32:10
- 1473
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- 名称：SI2304BDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2.6 ARds On-漏源导通电阻:70 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 11:28:42
- 1474
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- 名称：SI2304DDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.6 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQ
- 更新：2022-08-03 11:25:17
- 1475
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- 名称：SI2305CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:8 VId-连续漏极电流:5.8 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电
- 更新：2022-08-03 11:23:27
- 1476
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- 名称：SI2306BDS-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.16 ARds On-漏源导通电阻:47 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg
- 更新：2022-08-03 11:18:29
- 1477
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- 名称：SI2307BDS-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:78 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 11:16:36
- 1478
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- 名称：SI2307BDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:78 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 11:14:17
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- 名称：SI2307CDS-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.5 ARds On-漏源导通电阻:88 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 11:12:23
- 1480
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- 名称：SI2308BDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.3 ARds On-漏源导通电阻:156 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg
- 更新：2022-08-03 11:10:23
