- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1461
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- 名称：SI1416EDH-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.9 ARds On-漏源导通电阻:58 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.4 V
- 更新：2022-08-03 12:01:08
- 1462
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- 名称：SI1867DL-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix高度:1 mm长度:2.1 mm产品类型:MOSFET系列:SI1工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.25 mm零件号别名:SI1867DL-E3单位重量:7.500 mg
- 更新：2022-08-03 11:59:25
- 1463
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- 名称：SI1902CDL-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.1 ARds On-漏源导通电阻:235 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5
- 更新：2022-08-03 11:57:46
- 1464
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- 名称：SI1902DL-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:700 mARds On-漏源导通电阻:385 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:600
- 更新：2022-08-03 11:55:57
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- 名称：SI1905BDH-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1 mm长度:2.1 mm产品类型:MOSFET系列:SI1工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:1.25 mm零件号别名:SI1905BDH-E3单位重量:7.500 mg
- 更新：2022-08-03 11:54:14
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- 名称：SI1926DL-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:370 mARds On-漏源导通电阻:1.4 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQ
- 更新：2022-08-03 11:52:32
- 1467
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- 名称：SI1972DH-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI1工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI1972DH-E3单位重量:7.500 mg
- 更新：2022-08-03 11:50:27
- 1468
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- 名称：SI2301BDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.2 ARds On-漏源导通电阻:100 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:950 mVQ
- 更新：2022-08-03 11:47:40
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- 名称：SI2301CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:112 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-03 11:39:09
- 1470
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- 名称：SI2301-TP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Micro Commercial Components (MCC)产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.8 ARds On-漏源导通电阻:110 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V,
- 更新：2022-08-03 11:36:55
