- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1581
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- 名称：SI7110DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:21.1 ARds On-漏源导通电阻:5.3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-08-02 10:22:31
- 1582
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- 名称：SI7113DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13.2 ARds On-漏源导通电阻:134 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈
- 更新：2022-08-02 10:20:36
- 1583
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- 名称：SI7114DN-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:7.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-02 10:18:35
- 1584
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- 名称：SI7115DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:8.9 ARds On-漏源导通电阻:295 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-08-02 10:16:40
- 1585
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- 名称：SI7119DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:3.8 ARds On-漏源导通电阻:1.05 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-08-02 10:14:46
- 1586
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- 名称：SI7121DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:26 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-08-02 10:13:09
- 1587
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- 名称：SI7129DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-08-02 10:11:16
- 1588
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- 名称：SI7137DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:1.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-02 10:08:52
- 1589
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- 名称：SI7145DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:2.1 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2
- 更新：2022-08-02 10:06:38
- 1590
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- 名称：SI7148DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:75 VId-连续漏极电流:28 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.
- 更新：2022-08-02 10:04:54
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