- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1561
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- 名称：SI4850EY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:22 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 11:58:46
- 1562
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- 名称：SI4890BDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4890BDY-GE3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 11:48:41
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- 名称：SI4894BDY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电
- 更新：2022-08-02 11:46:26
- 1564
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- 名称：SI4914BDY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs零件号别名:SI4914BDY-E3单位重量:750 mg
- 更新：2022-08-02 11:39:12
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- 名称：SI4925DDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:29 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
- 更新：2022-08-02 11:37:30
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- 名称：SI4936CDY-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.8 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-
- 更新：2022-08-02 11:35:17
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- 名称：SI4936CDY-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.8 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 11:29:52
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- 名称：SI4946BEY-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:41 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 11:27:21
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- 名称：SI4946BEY-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:41 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 11:10:56
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- 名称：SI4948BEY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:3.1 ARds On-漏源导通电阻:120 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 11:08:53
