- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1601
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- 名称：SI7234DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:3.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:6
- 更新：2022-08-02 09:23:23
- 1602
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- 名称：SI7288DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:19 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.
- 更新：2022-08-02 09:21:08
- 1603
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- 名称：SI7326DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:19.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新：2022-08-01 17:50:53
- 1604
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- 名称：SI7336ADP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 V
- 更新：2022-08-01 17:48:21
- 1605
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- 名称：SI7382DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI7382DP-E3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-08-01 17:46:13
- 1606
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- 名称：SI7415DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:5.7 ARds On-漏源导通电阻:65 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-01 17:43:15
- 1607
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- 名称：SI7430DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:26 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2
- 更新：2022-08-01 17:38:06
- 1608
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- 名称：SI7431DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:3.8 ARds On-漏源导通电阻:147 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-01 17:18:24
- 1609
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- 名称：SI7450DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:5.3 ARds On-漏源导通电阻:80 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-08-01 17:05:00
- 1610
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- 名称：SI7461DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:14.4 ARds On-漏源导通电阻:14.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新：2022-08-01 17:02:51
