- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1661
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- 名称：SIR466DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:3.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-07-30 13:59:26
- 1662
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- 名称：SIR468DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET, PowerPAK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay Semiconductors产品类型:MOSFET系列:SIR工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SIR468DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-07-30 13:53:53
- 1663
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- 名称：SIR472DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET, PowerPAK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SIR工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SIR472DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-07-30 13:51:30
- 1664
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- 名称：SIR496DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8商标名:TrenchFET, PowerPAK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix高度:1.04 mm长度:6.15 mm产品类型:MOSFET系列:SIR工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:5.15 mm零件号别名:SIR496DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-07-30 13:48:18
- 1665
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- 名称：SIR840DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8商标名:TrenchFET, PowerPAK封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.04 mm长度:6.15 mm产品类型:MOSFET系列:SIR工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:5.15 mm零件号别名:SIR840DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-07-30 13:45:00
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- 名称：SIR862DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:25 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:2.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-07-30 13:43:13
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- 名称：SIR876ADP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.
- 更新：2022-07-30 13:40:18
- 1668
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- 名称：SIR882ADP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:7.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-07-30 11:43:49
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- 名称：SIRA06DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:2.05 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-07-30 11:38:34
- 1670
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- 名称：SIRA14DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:58 ARds On-漏源导通电阻:4.25 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-07-30 11:32:22
