- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1641
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- 名称：SIA421DJ-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQg-
- 更新：2022-08-01 13:58:42
- 1642
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- 名称：SIA517DJ-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:29 mOhms, 61 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs
- 更新：2022-08-01 13:56:50
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- 名称：SIA913ADJ-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-6晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-01 13:54:56
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- 名称：SIC631CD-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:High-Side, Low-Side安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPak-31激励器数量:1 Driver输出端数量:1 Output输出电流:50 A电源电压-最小:4.5 V电源电压-最大:24 V配置:Non-Inverting最小工作温度:- 40 C
- 更新：2022-08-01 13:52:47
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- 名称：SIC780CD-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:High-Side, Low-Side安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK MLP66-40L激励器数量:2 Driver输出端数量:1 Output输出电流:50 A电源电压-最小:4.5 V电源电压-最大:18 V配置:Non-Inverting下降时间:-
- 更新：2022-08-01 11:55:06
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- 名称：SIHG20N50C-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-08-01 11:41:54
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- 名称：SIHG47N60E-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:47 ARds On-漏源导通电阻:64 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:4
- 更新：2022-08-01 11:29:13
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- 名称：SIHG47N60S-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247AC-3封装:Tube商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:S工厂包装数量:25子类别:MOSFETs单位重量:6 g
- 更新：2022-08-01 11:18:18
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- 名称：SIP21101DR-285-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:低压差稳压器安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-5输出电压:2.85 V输出电流:300 mA输出端数量:1 Output极性:Positive输入电压（最小值）:2 V输入电压（最大值）:6 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C回动电压:1 mV系列:SIP2110x封装:Reel商标:Vishay / Sili
- 更新：2022-08-01 11:12:43
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- 名称：SIP21101DR-33-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:低压差稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-5输出电压:3.3 V输出电流:300 mA输出端数量:1 Output极性:Positive输入电压（最小值）:2 V输入电压（最大值）:6 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:SIP2110x封装:Reel封装:Cut Tape
- 更新：2022-08-01 11:07:18
