- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1651
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- 名称：SIP32102DB-T1-GE1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:电源开关 IC - 配电RoHS: 详细信息类型:Load Switch输出端数量:1 Output输出电流:7 A导通电阻—最大值:13 mOhms运行时间—最大值:800 us空闲时间—最大值:120 us工作电源电压:2.3 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WCSP-12封
- 更新：2022-08-01 10:34:01
- 1652
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- 名称：SIP32508DT-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:电源开关 IC - 配电RoHS: 详细信息类型:Load Switch输出端数量:1 Output输出电流:3 A导通电阻—最大值:54 mOhms运行时间—最大值:1.8 ms空闲时间—最大值:1 us工作电源电压:1.1 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOT-23-6封
- 更新：2022-08-01 10:15:01
- 1653
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- 名称：SIP4282ADVP-3-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:电源开关 IC - 配电RoHS: 详细信息输出端数量:1 Output输出电流:-导通电阻—最大值:350 mOhms工作电源电压:1.5 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-75-6封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / SiliconixPd-功率耗散
- 更新：2022-08-01 10:12:01
- 1654
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- 名称：SIR158DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:1.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-07-30 15:40:45
- 1655
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- 名称：SIR166DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:3.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-07-30 15:05:32
- 1656
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- 名称：SIR168DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET, PowerPAK封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SIR工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SIR168DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-07-30 14:58:42
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- 名称：SIR422DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:20.5 ARds On-漏源导通电阻:6.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-07-30 14:56:41
- 1658
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- 名称：SIR426DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:10.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-07-30 14:11:40
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- 名称：SIR462DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:7.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:20 nC
- 更新：2022-07-30 14:09:23
- 1660
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- 名称：SIR464DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:3.1 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-07-30 14:01:30
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