- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1871
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- 名称:STB11NM80T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 10:36:26
- 1872
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- 名称:STB12NM50ND
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:380 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 10:34:18
- 1873
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- 名称:STB14NK60ZT4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:13.5 ARds On-漏源导通电阻:500 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th
- 更新:2022-07-27 10:32:36
- 1874
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- 名称:STB14NM50N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 10:30:47
- 1875
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- 名称:STB20NK50ZT4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温度:-
- 更新:2022-07-27 10:28:49
- 1876
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- 名称:STB30NF10T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:38 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新:2022-07-27 10:27:06
- 1877
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- 名称:STB32NM50N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:22 ARds On-漏源导通电阻:130 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 10:25:28
- 1878
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- 名称:STB35NF10T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新:2022-07-27 10:23:46
- 1879
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- 名称:STB3NK60ZT4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2.4 ARds On-漏源导通电阻:3.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温度:-
- 更新:2022-07-27 10:21:53
- 1880
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- 名称:STB4NK60Z-1
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-262-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-
- 更新:2022-07-27 10:19:57