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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1871
  • 名称:STB11NM80T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 10:36:26
  • 1872
  • 名称:STB12NM50ND
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:380 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 10:34:18
  • 1873
  • 名称:STB14NK60ZT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:13.5 ARds On-漏源导通电阻:500 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th
    更新:2022-07-27 10:32:36
  • 1874
  • 名称:STB14NM50N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 10:30:47
  • 1875
  • 名称:STB20NK50ZT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温度:-
    更新:2022-07-27 10:28:49
  • 1876
  • 名称:STB30NF10T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:38 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-27 10:27:06
  • 1877
  • 名称:STB32NM50N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:22 ARds On-漏源导通电阻:130 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 10:25:28
  • 1878
  • 名称:STB35NF10T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-27 10:23:46
  • 1879
  • 名称:STB3NK60ZT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2.4 ARds On-漏源导通电阻:3.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温度:-
    更新:2022-07-27 10:21:53
  • 1880
  • 名称:STB4NK60Z-1
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-262-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-
    更新:2022-07-27 10:19:57
电话: 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真:-- Email: 联系人: 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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