- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1881
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- 名称：STB4NK60ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-07-27 10:18:15
- 1882
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- 名称：STB5NK50ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:过渡期间技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:4.4 ARds On-漏源导通电阻:1.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温度:- 55 C最
- 更新：2022-07-27 10:16:31
- 1883
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- 名称：STB6NK60Z-1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-262-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V最小工作温
- 更新：2022-07-27 10:14:39
- 1884
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- 名称：STB6NK60ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-27 10:12:42
- 1885
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- 名称：STB70NF03LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:70 ARds On-漏源导通电阻:13.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 18 V, + 18 V最小工作温度:-
- 更新：2022-07-27 10:10:23
- 1886
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- 名称：STB7NK80ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:5.2 ARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅
- 更新：2022-07-27 10:08:23
- 1887
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- 名称：STB80NF10T4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:D2PAK-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:15 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-27 10:06:16
- 1888
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- 名称：STB8NM60D
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-07-27 10:04:23
- 1889
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- 名称：STBV42-AP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-92-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V发射极 - 基极电压 VEBO:9 V集电极—射极饱和电压:400 mV最大直流电集电极电流:1 APd-功率耗散:1 W最小工作温
- 更新：2022-07-27 10:02:03
- 1890
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- 名称：STCMB1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:功率因数校正 - PFCRoHS: 详细信息封装 / 箱体:SOIC-20封装:Tube商标:STMicroelectronics湿度敏感性:Yes产品类型:PFC - Power Factor Correction系列:STCMB1工厂包装数量:1000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:500 mg
- 更新：2022-07-27 09:58:37
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