- 深圳市炎凯科技有限公司
-
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
- 联系我们
- 联系人: 白小姐 范小姐
-
微信:
- 电话: 0755-89587732 0755-89587732-8004
- 手机:18188632197 14776359389
- 传真:--
- EMail:354696650@qq.com1206384715@qq.com
- 地址: 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
-
- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1891
-
-
- 名称:STD100NH03LT4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温度:- 55
- 更新:2022-07-27 09:56:05
- 1892
-
-
- 名称:STD10NF10T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 09:54:29
- 1893
-
-
- 名称:STD10NF10T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 09:54:12
- 1894
-
-
- 名称:STD10NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
- 更新:2022-07-27 09:52:16
- 1895
-
-
- 名称:STD10P6F6
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新:2022-07-27 09:50:09
- 1896
-
-
- 名称:STD10PF06T4
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新:2022-07-27 09:47:58
- 1897
-
-
- 名称:STD11N65M5
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:480 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源
- 更新:2022-07-27 09:45:02
- 1898
-
-
- 名称:STD11NM50N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-
- 更新:2022-07-27 09:43:25
- 1899
-
-
- 名称:STD11NM50N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-
- 更新:2022-07-27 09:43:10
- 1900
-
-
- 名称:STD12NF06L-1
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:100 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs
- 更新:2022-07-27 09:41:14