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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1891
  • 名称:STD100NH03LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温度:- 55
    更新:2022-07-27 09:56:05
  • 1892
  • 名称:STD10NF10T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 09:54:29
  • 1893
  • 名称:STD10NF10T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 09:54:12
  • 1894
  • 名称:STD10NM60N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
    更新:2022-07-27 09:52:16
  • 1895
  • 名称:STD10P6F6
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-27 09:50:09
  • 1896
  • 名称:STD10PF06T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-27 09:47:58
  • 1897
  • 名称:STD11N65M5
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:480 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-27 09:45:02
  • 1898
  • 名称:STD11NM50N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-
    更新:2022-07-27 09:43:25
  • 1899
  • 名称:STD11NM50N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-
    更新:2022-07-27 09:43:10
  • 1900
  • 名称:STD12NF06L-1
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:100 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs
    更新:2022-07-27 09:41:14
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