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深圳市炎凯科技有限公司
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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别：VIP 7年
营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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联系人： 白小姐 范小姐  
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1961
  • 名称：STF14NM50N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:320 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
    更新：2022-07-26 10:48:56
  • 1962
  • 名称：STF15N80K5
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:300 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
    更新：2022-07-26 10:47:01
  • 1963
  • 名称：STF18N60M2
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:255 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
    更新：2022-07-26 10:45:12
  • 1964
  • 名称：STF21NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:180 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工
    更新：2022-07-26 10:43:21
  • 1965
  • 名称：STF22NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:16 ARds On-漏源导通电阻:220 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
    更新：2022-07-26 10:41:36
  • 1966
  • 名称：STF23NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:19 ARds On-漏源导通电阻:180 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工
    更新：2022-07-26 10:39:46
  • 1967
  • 名称：STF24N60DM2
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:175 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
    更新：2022-07-26 10:37:51
  • 1968
  • 名称：STF24N60M2
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:190 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs
    更新：2022-07-26 10:36:05
  • 1969
  • 名称：STF24NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:190 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
    更新：2022-07-26 10:34:24
  • 1970
  • 名称：STF25NM50N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:21.5 ARds On-漏源导通电阻:140 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最
    更新：2022-07-26 10:32:37
电话： 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真：-- Email： 联系人： 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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