- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- 企业证书
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2321
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- 名称：STTH812D
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220ACVr - 反向电压 :1.2 kVIf - 正向电流:8 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:2.2 V最大浪涌电流:80 AIr - 反向电流 :8 uA恢复时间:50 ns最小工作温
- 更新：2022-07-11 13:51:00
- 2322
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- 名称：STTH8R06D
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220ACVr - 反向电压 :600 VIf - 正向电流:8 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:2.9 V最大浪涌电流:80 AIr - 反向电流 :30 uA恢复时间:25 ns最小工作温
- 更新：2022-07-11 13:48:48
- 2323
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- 名称：STTH8R06FP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FPACVr - 反向电压 :600 VIf - 正向电流:8 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:2.9 V最大浪涌电流:80 AIr - 反向电流 :30 uA恢复时间:25 ns最小工
- 更新：2022-07-11 13:46:24
- 2324
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- 名称：STTH8S06D
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220ACVr - 反向电压 :600 VIf - 正向电流:8 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:3.4 V最大浪涌电流:60 AIr - 反向电流 :20 uA恢复时间:12 ns最小工作温
- 更新：2022-07-11 11:56:32
- 2325
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- 名称：STTH8S06FP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:整流器RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FPACVr - 反向电压 :600 VIf - 正向电流:8 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:3.4 V最大浪涌电流:60 AIr - 反向电流 :20 uA恢复时间:12 ns最小工
- 更新：2022-07-11 11:53:02
- 2326
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- 名称：STU3N80K5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:3.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-11 11:49:06
- 2327
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- 名称：STU4N62K3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:620 VId-连续漏极电流:3.8 ARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新：2022-07-11 11:46:45
- 2328
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- 名称：STU7NM60N
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新：2022-07-11 11:44:46
- 2329
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- 名称：STW10NK80Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-11 11:40:07
- 2330
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- 名称：STW11NK100Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:8.3 ARds On-漏源导通电阻:1.38 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-11 11:38:14
