- 深圳市炎凯科技有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2331
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- 名称:STW11NM80
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 11:33:24
- 2332
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- 名称:STW13NK100Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1 kVId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:700 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 11:28:29
- 2333
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- 名称:STW14NK50Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:380 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 11:25:25
- 2334
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- 名称:STW15NK90Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:15 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 11:01:56
- 2335
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- 名称:STW18NM80
- 类别:eof
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- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:295 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:34:09
- 2336
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- 名称:STW20NK50Z
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:270 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:31:51
- 2337
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- 名称:STW21NM60ND
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:220 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:27:03
- 2338
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- 名称:STW24NM65N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:19 ARds On-漏源导通电阻:190 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工
- 更新:2022-07-11 10:24:54
- 2339
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- 名称:STW26NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:165 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:22:27
- 2340
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- 名称:STW34NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:31.5 ARds On-漏源导通电阻:105 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VV
- 更新:2022-07-11 10:20:30