- 深圳市炎凯科技有限公司
-
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
- 联系我们
- 联系人: 白小姐 范小姐
-
微信:
- 电话: 0755-89587732 0755-89587732-8004
- 手机:18188632197 14776359389
- 传真:--
- EMail:354696650@qq.com1206384715@qq.com
- 地址: 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
-
- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2341
-
-
- 名称:STW34NM60ND
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:29 ARds On-漏源导通电阻:110 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:10:40
- 2342
-
-
- 名称:STW3N150
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:9 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:08:36
- 2343
-
-
- 名称:STW40N60M2
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:34 ARds On-漏源导通电阻:88 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:06:31
- 2344
-
-
- 名称:STW45NM60
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:45 ARds On-漏源导通电阻:110 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:04:22
- 2345
-
-
- 名称:STW48N60DM2
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:65 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 10:02:01
- 2346
-
-
- 名称:STW48N60M2
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:42 ARds On-漏源导通电阻:70 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 09:58:32
- 2347
-
-
- 名称:STW48NM60N
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:39 ARds On-漏源导通电阻:70 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 09:55:41
- 2348
-
-
- 名称:STW4N150
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:7 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th
- 更新:2022-07-11 09:53:38
- 2349
-
-
- 名称:STW69N65M5
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:58 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
- 更新:2022-07-11 09:51:39
- 2350
-
-
- 名称:STW7N95K3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:950 VId-连续漏极电流:7.2 ARds On-漏源导通电阻:1.35 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVg
- 更新:2022-07-11 09:42:52