- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 2351
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- 名称：STW8NK80Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:6.2 ARds On-漏源导通电阻:1.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
- 更新：2022-07-11 09:40:37
- 2352
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- 名称：STW9NK90Z
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:900 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:1.3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
- 更新：2022-07-11 09:38:28
- 2353
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- 名称：STWD100NYWY3F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:监控电路RoHS: 详细信息类型:Voltage Supervisory安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5被监测输入数:1 Input输出类型:Active Low, Open Drain人工复位:No Manual Reset看门狗计时器:Watchdog电池备用开关:No Backup重置延迟时间:210 m
- 更新：2022-07-11 09:35:39
- 2354
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- 名称：STX616-AP
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-92AP-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:500 V集电极—基极电压 VCBO:-发射极 - 基极电压 VEBO:12 V集电极—射极饱和电压:1 V最大直流电集电极电流:1.5
- 更新：2022-07-11 09:33:20
- 2355
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- 名称：SUB70N03-09BP-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix高度:4.83 mm长度:10.67 mm产品类型:MOSFET工厂包装数量:800子类别:MOSFETs宽度:9.65 mm单位重量:4 g
- 更新：2022-07-11 09:29:49
- 2356
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- 名称：SUD50N02-06P-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix高度:2.38 mm长度:6.73 mm产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs宽度:6.22 mm零件号别名:SUD50N02-06P-E3单位重量:330 mg
- 更新：2022-07-11 09:27:40
- 2357
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- 名称：SUD50N025-06P-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:2.38 mm长度:6.73 mm产品类型:MOSFET系列:SUD工厂包装数量:2000子类别:MOSFETs宽度:6.22 mm单位重量:330 mg
- 更新：2022-07-08 17:59:21
- 2358
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- 名称：SUD50P06-15-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:15 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅
- 更新：2022-07-08 17:57:18
- 2359
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- 名称：SUD50P10-43L-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:37.1 ARds On-漏源导通电阻:43 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQ
- 更新：2022-07-08 17:53:35
- 2360
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- 名称：SUM65N20-30-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:65 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-
- 更新：2022-07-08 17:35:36
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