- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 561
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- 名称:DMC4040SSD-13
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:25 mOhms, 25 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 2
- 更新:2022-08-23 09:14:16
- 562
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- 名称:DMC4047LSD-13
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:6.9 A, 4.5 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhms, 55 mOhmsVgs - 栅极-源
- 更新:2022-08-22 16:36:46
- 563
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- 名称:DMC4050SSD-13
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:5.8 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20
- 更新:2022-08-22 16:35:14
- 564
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- 名称:DMG1012T-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-523-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:630 mARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 16:33:45
- 565
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- 名称:DMG1012UW-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:450 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 16:32:18
- 566
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- 名称:DMG1013T-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-523-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:460 mARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 16:29:25
- 567
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- 名称:DMG1013UW-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:820 mARds On-漏源导通电阻:750 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 16:25:39
- 568
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- 名称:DMG1016UDW-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.066 A, 845 mARds On-漏源导通电阻:450 mOhms, 750 mOhmsVg
- 更新:2022-08-22 16:19:38
- 569
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- 名称:DMG1016V-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:870 mA, 640 mARds On-漏源导通电阻:400 mOhms, 700 mOhmsVgs
- 更新:2022-08-22 16:17:16
- 570
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- 名称:DMG1024UV-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.38 ARds On-漏源导通电阻:450 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 6 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 16:13:14