- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 571
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- 名称:DMG1026UV-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:440 mARds On-漏源导通电阻:1.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新:2022-08-22 16:06:23
- 572
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- 名称:DMG1029SV-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:500 mA, 360 mARds On-漏源导通电阻:1.7 Ohms, 4 OhmsVgs - 栅
- 更新:2022-08-22 16:04:00
- 573
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- 名称:DMG2301LK-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.4 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 16:01:17
- 574
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- 名称:DMG2301U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.7 ARds On-漏源导通电阻:80 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VQg-栅极电荷:6.
- 更新:2022-08-22 15:57:46
- 575
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- 名称:DMG2302UQ-7
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 Channel资格:AEC-Q101封装:Reel商标:Diodes Incorporated配置:Single产品类型:MOSFET系列:DMG2302UQ-7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel单位重量:8 mg
- 更新:2022-08-22 15:53:53
- 576
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- 名称:DMG2305UX-13
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.2 ARds On-漏源导通电阻:52 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:51:53
- 577
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- 名称:DMG2305UX-7
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:52 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值
- 更新:2022-08-22 15:49:49
- 578
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- 名称:DMG2307L-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.8 ARds On-漏源导通电阻:90 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-22 15:47:37
- 579
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- 名称:DMG3401LSN-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-59-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.7 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源
- 更新:2022-08-22 15:45:29
- 580
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- 名称:DMG3402L-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:52 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:42:40