- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 581
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- 名称:DMG3414U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.2 ARds On-漏源导通电阻:25 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:38:29
- 582
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- 名称:DMG3415U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:42.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:36:19
- 583
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- 名称:DMG3418L-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:34:29
- 584
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- 名称:DMG3420U-7
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:5.47 ARds On-漏源导通电阻:29 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-
- 更新:2022-08-22 15:32:54
- 585
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- 名称:DMG4407SSS-13
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:9.9 ARds On-漏源导通电阻:17 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:29:19
- 586
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- 名称:DMG4435SSS-13
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:27:17
- 587
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- 名称:DMG4466SSS-13
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:33 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈
- 更新:2022-08-22 15:25:38
- 588
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- 名称:DMG4800LSD-13
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-22 15:23:27
- 589
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- 名称:DMG5802LFX-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:W-DFN5020-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:24 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
- 更新:2022-08-22 15:21:15
- 590
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- 名称:DMG6601LVT-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOT-26-6晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3.8 A, 2.5 ARds On-漏源导通电阻:55 mOhms, 110 mOhmsVgs -
- 更新:2022-08-22 15:18:24