- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 661
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- 名称:DMP210DUFB4-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 VVgs t
- 更新:2022-08-19 15:01:12
- 662
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- 名称:DMP2130L-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:75 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-19 14:48:16
- 663
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- 名称:DMP2160U-7
- 类别:eof
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- 更新:2022-08-19 14:45:17
- 664
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- 名称:DMP2160UW-7
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.5 ARds On-漏源导通电阻:100 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th
- 更新:2022-08-19 14:43:39
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:770 mARds On-漏源导通电阻:495 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs
- 更新:2022-08-19 14:41:18
- 666
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- 类别:eof
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- 更新:2022-08-19 14:38:46
- 667
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- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:700 mARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-
- 更新:2022-08-19 14:36:55
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- 类别:eof
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- 更新:2022-08-19 14:35:02
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- 名称:DMP2240UW-7
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.5 ARds On-漏源导通电阻:150 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th
- 更新:2022-08-19 14:29:14
- 670
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- 名称:DMP2305U-7
- 类别:eof
- 市场价:
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.2 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-19 14:27:27