- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 651
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- 名称:DMP1022UFDE-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN2020-E-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:9.1 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs t
- 更新:2022-08-20 10:16:15
- 652
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- 名称:DMP1022UFDF-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-2020-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:6.6 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-20 10:13:41
- 653
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- 名称:DMP1045U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:4.3 ARds On-漏源导通电阻:31 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-20 10:11:45
- 654
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- 名称:DMP1100UCB4-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-WLB0808-4晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:400 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th
- 更新:2022-08-20 09:51:44
- 655
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- 名称:DMP1555UFA-7B
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN0806-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:20 mARds On-漏源导通电阻:800 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs t
- 更新:2022-08-20 09:49:38
- 656
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- 名称:DMP2002UPS-13
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerDI5060-K-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:42 ARds On-漏源导通电阻:3.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VV
- 更新:2022-08-20 09:45:17
- 657
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- 名称:DMP2023UFDF-7
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-2020-6晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:7.6 ARds On-漏源导通电阻:27 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅
- 更新:2022-08-19 15:10:31
- 658
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- 名称:DMP2035U-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.9 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极
- 更新:2022-08-19 15:08:10
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- 名称:DMP2066LSN-7
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-59-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.6 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源
- 更新:2022-08-19 15:06:21
- 660
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- 名称:DMP2100U-7
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X2-DFN1006-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 VVgs t
- 更新:2022-08-19 15:03:25