- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 641
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- 名称：DMN6068SE-13
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:5.6 ARds On-漏源导通电阻:68 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-20 11:10:08
- 642
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- 名称：DMN62D0LFB-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:X1-DFN1006-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:320 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
- 更新：2022-08-20 11:07:41
- 643
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- 名称：DMN63D8LDW-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:260 mARds On-漏源导通电阻:2.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新：2022-08-20 11:03:06
- 644
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- 名称：DMN63D8LV-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-563-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:260 mARds On-漏源导通电阻:2.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新：2022-08-20 10:57:31
- 645
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- 名称：DMN63D8LW-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:380 mARds On-漏源导通电阻:2.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th
- 更新：2022-08-20 10:55:18
- 646
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- 名称：DMN65D8L-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:310 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-08-20 10:53:37
- 647
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- 名称：DMN65D8LDW-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新：2022-08-20 10:49:31
- 648
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- 名称：DMN65D8LQ-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:310 mARds On-漏源导通电阻:3 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
- 更新：2022-08-20 10:46:18
- 649
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- 名称：DMN67D8L-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:210 mARds On-漏源导通电阻:1.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-
- 更新：2022-08-20 10:44:12
- 650
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- 名称：DMNH10H028SPSQ-13
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerDI5060-8资格:AEC-Q101封装:Reel商标:Diodes Incorporated产品类型:MOSFET系列:DMNH10H028工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs单位重量:96 mg
- 更新：2022-08-20 10:21:51
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