- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1481
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- 名称：SI2309CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:1.6 ARds On-漏源导通电阻:345 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg
- 更新：2022-08-03 11:08:32
- 1482
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- 名称：SI2312BDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3.9 ARds On-漏源导通电阻:31 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:850 mVQg
- 更新：2022-08-03 11:06:30
- 1483
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- 名称：SI2312CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:31.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-03 11:04:39
- 1484
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- 名称：SI2315BDS-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:900 mVQg-栅
- 更新：2022-08-03 11:02:25
- 1485
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- 名称：SI2316BDS-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-
- 更新：2022-08-03 10:59:17
- 1486
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- 名称：SI2316DS-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-236-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:2.9 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:800 mV
- 更新：2022-08-03 10:57:17
- 1487
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- 名称：SI2318CDS-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:5.6 ARds On-漏源导通电阻:42 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQ
- 更新：2022-08-03 10:55:26
- 1488
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- 名称：SI2318DS-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:3.9 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-
- 更新：2022-08-03 10:53:25
- 1489
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- 名称：SI2319CDS-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:4.4 ARds On-漏源导通电阻:77 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQ
- 更新：2022-08-03 10:51:29
- 1490
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- 名称：SI2319DS-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:82 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-03 10:49:39
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