- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1551
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- 名称：SI4626ADY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs零件号别名:SI4626ADY-E3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 13:59:47
- 1552
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- 名称：SI4634DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:24.5 ARds On-漏源导通电阻:5.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.4 VQ
- 更新：2022-08-02 13:56:52
- 1553
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- 名称：SI4684DY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4684DY-E3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 13:54:58
- 1554
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- 名称：SI4686DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:18.2 ARds On-漏源导通电阻:9.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-
- 更新：2022-08-02 13:53:07
- 1555
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- 名称：SI4800BDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:18.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:800 mVQg
- 更新：2022-08-02 13:51:20
- 1556
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- 名称：SI4804CDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:22 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 13:49:29
- 1557
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- 名称：SI4812BDY-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4812BDY-GE3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 13:47:16
- 1558
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- 名称：SI4835DDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:13 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电
- 更新：2022-08-02 13:45:24
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- 名称：SI4840BDY-T1-GE3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:19 ARds On-漏源导通电阻:9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
- 更新：2022-08-02 13:43:23
- 1560
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- 名称：SI4848DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:3.7 ARds On-漏源导通电阻:85 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 13:41:15
