- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1531
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- 名称：SI4346DY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs零件号别名:SI4346DY-GE3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 15:19:00
- 1532
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- 名称：SI4362DY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4362DY-E3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 15:17:20
- 1533
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- 名称：SI4401DDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:16.1 ARds On-漏源导通电阻:15 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQg
- 更新：2022-08-02 15:15:14
- 1534
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- 名称：SI4406DY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8封装:Reel商标:Vishay / Siliconix高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 15:13:28
- 1535
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- 名称：SI4410BDY-T1-E3
- 类别：eof
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs零件号别名:SI4410BDY-T1-E3单位重量:187 mg
- 更新：2022-08-02 15:05:20
- 1536
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- 名称：SI4425DDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:19.7 ARds On-漏源导通电阻:9.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1.2 VQ
- 更新：2022-08-02 15:03:23
- 1537
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- 名称：SI4426DY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay Semiconductors高度:1.75 mm长度:4.9 mm产品类型:MOSFET系列:SI4工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs宽度:3.9 mm零件号别名:SI4426DY-E3单位重量:74 mg
- 更新：2022-08-02 15:01:24
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- 名称：SI4430BDY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:4.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-02 14:59:39
- 1539
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- 名称：SI4431CDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
- 更新：2022-08-02 14:57:41
- 1540
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- 名称：SI4435DDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:11.4 ARds On-漏源导通电阻:24 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-02 14:55:47
