- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1541
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- 名称:SI4447DY-T1-E3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:4.5 ARds On-漏源导通电阻:54 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs th-栅源极阈值电压:2.2 VQg-
- 更新:2022-08-02 14:53:52
- 1542
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- 名称:SI4459ADY-T1-GE3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:29 ARds On-漏源导通电阻:5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
- 更新:2022-08-02 14:52:05
- 1543
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- 名称:SI4465ADY-T1-E3
- 类别:eof
- 市场价:
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:8 VId-连续漏极电流:13.7 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷
- 更新:2022-08-02 14:48:07
- 1544
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- 名称:SI4466DY-T1-E3
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:25 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:8.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:600 mVQg
- 更新:2022-08-02 14:45:41
- 1545
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- 名称:SI4477DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:26.6 ARds On-漏源导通电阻:6.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:600 mVQg
- 更新:2022-08-02 14:43:30
- 1546
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- 名称:SI4483ADY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:19.2 ARds On-漏源导通电阻:15.3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:2.6 V
- 更新:2022-08-02 14:20:51
- 1547
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- 名称:SI4488DY-T1-E3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电
- 更新:2022-08-02 14:18:06
- 1548
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- 名称:SI4488DY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电
- 更新:2022-08-02 14:13:48
- 1549
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- 名称:SI4501BDY-T1-GE3
- 类别:eof
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- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 V, 8 VId-连续漏极电流:9.5 A, 6.4 ARds On-漏源导通电阻:17 mOhms, 27 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20
- 更新:2022-08-02 14:11:37
- 1550
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- 名称:SI4599DY-T1-GE3
- 类别:eof
- 市场价:
- 本站价:
- 说明:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel, P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:5.8 A, 6.8 ARds On-漏源导通电阻:35.5 mOhms, 45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V,
- 更新:2022-08-02 14:02:04