- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1621
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- 名称：SI7758DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI7758DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-08-01 16:05:47
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- 名称：SI7806ADN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel商标:Vishay Semiconductors产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI7806ADN-GE3
- 更新：2022-08-01 16:03:01
- 1623
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- 名称：SI7846DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:24.5 ARds On-漏源导通电阻:50 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-01 15:58:23
- 1624
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- 名称：SI7850DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10.3 ARds On-漏源导通电阻:22 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:
- 更新：2022-08-01 15:55:33
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- 名称：SI7858ADP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:12 VId-连续漏极电流:29 ARds On-漏源导通电阻:2.6 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:600
- 更新：2022-08-01 15:52:54
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- 名称：SI7880ADP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 V
- 更新：2022-08-01 15:49:37
- 1627
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- 名称：SI7884BDP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:58 ARds On-漏源导通电阻:7.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 15:46:28
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- 名称：SI7892BDP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:25 ARds On-漏源导通电阻:4.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 15:42:40
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- 名称：SI7911DN-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFET技术:Si封装:Reel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET子类别:MOSFETs
- 更新：2022-08-01 15:40:14
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- 名称：SI7911DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.04 mm长度:3.3 mm产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:3.3 mm零件号别名:SI7911DN-GE3单位重量:1 g
- 更新：2022-08-01 15:37:57
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