- 深圳市炎凯科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1611
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- 名称：SI7461DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:14.4 ARds On-漏源导通电阻:14.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新：2022-08-01 16:35:32
- 1612
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- 名称：SI7465DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:3.2 ARds On-漏源导通电阻:64 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 16:29:04
- 1613
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- 名称：SI7469DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:28 ARds On-漏源导通电阻:29 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:3
- 更新：2022-08-01 16:27:03
- 1614
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- 名称：SI7489DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:28 ARds On-漏源导通电阻:41 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 16:23:34
- 1615
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- 名称：SI7615ADN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:4.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-01 16:20:17
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- 名称：SI7635DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay Semiconductors高度:1.04 mm长度:6.15 mm产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs宽度:5.15 mm零件号别名:SI7635DP-GE3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-08-01 16:17:55
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- 名称：SI7682DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si商标名:TrenchFET封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Vishay / Siliconix产品类型:MOSFET系列:SI7工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs零件号别名:SI7682DP-E3单位重量:506.600 mg
- 更新：2022-08-01 16:15:38
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- 名称：SI7686DP-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:9.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 16:13:34
- 1619
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- 名称：SI7716ADN-T1-GE3
- 类别：eof
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- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:16 ARds On-漏源导通电阻:13.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电
- 更新：2022-08-01 16:09:35
- 1620
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- 名称：SI7726DN-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:9.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压
- 更新：2022-08-01 16:07:48
