- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1631
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- 名称：SI7938DP-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:5.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1
- 更新：2022-08-01 15:35:55
- 1632
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- 名称：SI8413DB-T1-E1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MicroFoot-4晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:63 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:1.4
- 更新：2022-08-01 15:32:58
- 1633
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- 名称：SI8800EDB-T2-E1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MicroFoot-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.8 ARds On-漏源导通电阻:80 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:400 m
- 更新：2022-08-01 14:55:30
- 1634
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- 名称：SI9121DY-5-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:开关稳压器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8拓扑结构:Buck-Boost输出电压:5 V输出电流:200 uA输出端数量:1 Output输入电压（最小值）:- 60 V输入电压（最大值）:- 10 V开关频率:95 kHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut T
- 更新：2022-08-01 14:47:32
- 1635
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- 名称：SI9241AEY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:总线收发器RoHS: 详细信息输出电平:CMOS, LSTTL输出类型:Open Drain电源电压-最大:36 V电源电压-最小:6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:SOIC-8封装:Reel封装:Cut Tape商标:Vishay / Siliconix高度:1.55 (Max) mm长度:5 (Max) mm安装
- 更新：2022-08-01 14:16:46
- 1636
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- 名称：SI9407BDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:4.7 ARds On-漏源导通电阻:120 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅
- 更新：2022-08-01 14:13:08
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- 名称：SI9435BDY-T1-E3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.7 ARds On-漏源导通电阻:42 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-01 14:11:04
- 1638
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- 名称：SI9926CDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:8 ARds On-漏源导通电阻:18 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:600 mVQg-栅
- 更新：2022-08-01 14:09:08
- 1639
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- 名称：SI9933CDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:P-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:58 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅源极阈值电压:600 mVQg-栅
- 更新：2022-08-01 14:02:32
- 1640
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- 名称：SI9945BDY-T1-GE3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:5.3 ARds On-漏源导通电阻:58 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极
- 更新：2022-08-01 14:00:35
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