- 深圳市炎凯科技有限公司
-
会员类别：VIP 7年
营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
- 联系我们
- 联系人： 白小姐 范小姐
QQ：354696650 复制QQ：2850471056 复制 -
微信：
- 电话： 0755-89587732 0755-89587732-8004
- 手机：18188632197 14776359389
- 传真：--
- EMail：354696650@qq.com1206384715@qq.com
- 地址： 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
- 企业证书
- 公司相册
- IC产品 | 元器件产品
-
- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1901
-
-
- 名称：STD12NF06LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:90 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-27 09:38:47
- 1902
-
-
- 名称：STD13003T4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V集电极—基极电压 VCBO:-发射极 - 基极电压 VEBO:9 V集电极—射极饱和电压:3 V最大直流电集电极电流:1.5 APd-功率耗
- 更新：2022-07-27 09:32:52
- 1903
-
-
- 名称：STD13NM60N
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:360 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅
- 更新：2022-07-27 09:30:04
- 1904
-
-
- 名称：STD150NH02LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:24 VId-连续漏极电流:150 ARds On-漏源导通电阻:3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温度:- 5
- 更新：2022-07-27 09:28:15
- 1905
-
-
- 名称：STD16NF25
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:250 VId-连续漏极电流:14 ARds On-漏源导通电阻:235 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新：2022-07-27 09:26:24
- 1906
-
-
- 名称：STD1703LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3商标:STMicroelectronics产品类型:MOSFET系列:STD1703子类别:MOSFETs单位重量:330 mg
- 更新：2022-07-27 09:24:34
- 1907
-
-
- 名称：STD1NK60T4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:8.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-27 09:22:35
- 1908
-
-
- 名称：STD1NK80Z-1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:16 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th
- 更新：2022-07-27 09:20:37
- 1909
-
-
- 名称：STD1NK80ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:1 ARds On-漏源导通电阻:13 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈
- 更新：2022-07-27 09:17:48
- 1910
-
-
- 名称：STD20NF06LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:24 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-27 09:15:11
