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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1911
  • 名称:STD20NF06T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:24 ARds On-漏源导通电阻:32 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 16:35:52
  • 1912
  • 名称:STD20NF20
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:125 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
    更新:2022-07-26 16:32:24
  • 1913
  • 名称:STD2HNK60Z
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2 ARds On-漏源导通电阻:4.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 16:30:00
  • 1914
  • 名称:STD2HNK60Z-1
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2 ARds On-漏源导通电阻:4.8 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs t
    更新:2022-07-26 15:08:19
  • 1915
  • 名称:STD2LN60K3
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2 ARds On-漏源导通电阻:4.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 15:01:57
  • 1916
  • 名称:STD30NF03LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温度:- 6
    更新:2022-07-26 14:53:50
  • 1917
  • 名称:STD30NF06LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:22 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:51:43
  • 1918
  • 名称:STD30NF06T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:28 ARds On-漏源导通电阻:20 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:49:57
  • 1919
  • 名称:STD30PF03LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:24 ARds On-漏源导通电阻:28 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:48:11
  • 1920
  • 名称:STD35NF06LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:35 ARds On-漏源导通电阻:16 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:46:25
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