- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 1931
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- 名称：STD4NK60ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:4 ARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-07-26 14:24:49
- 1932
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- 名称：STD4NK80ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:3.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-26 14:22:59
- 1933
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- 名称：STD5N20LT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:700 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 5 VVgs th-栅源极阈
- 更新：2022-07-26 14:21:09
- 1934
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- 名称：STD5N20T4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:700 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V最小工作温度:-
- 更新：2022-07-26 14:19:20
- 1935
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- 名称：STD5N52K3
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:525 VId-连续漏极电流:4.4 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极
- 更新：2022-07-26 14:17:34
- 1936
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- 名称：STD5NK50ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:4.4 ARds On-漏源导通电阻:1.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅
- 更新：2022-07-26 14:15:44
- 1937
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- 名称：STD5NK60ZT4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:1.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极
- 更新：2022-07-26 14:13:52
- 1938
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- 名称：STD5NM60-1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-251-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-
- 更新：2022-07-26 14:11:29
- 1939
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- 名称：STD5NM60T4
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:1 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值
- 更新：2022-07-26 14:08:48
- 1940
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- 名称：STD60N3LH5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:48 ARds On-漏源导通电阻:8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 22 V, + 22 V最小工作温度:- 55
- 更新：2022-07-26 14:06:52
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