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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别:VIP 7年
营业执照:已审核
经营模式:IC经销商
所在地区:广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1941
  • 名称:STD60NF06T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:14 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:05:06
  • 1942
  • 名称:STD60NF55LT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:55 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:14 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 15 VVgs th-栅源极
    更新:2022-07-26 14:02:56
  • 1943
  • 名称:STD6NF10T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:6 ARds On-漏源导通电阻:220 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-26 14:01:00
  • 1944
  • 名称:STD6NK50ZT4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:5.6 ARds On-漏源导通电阻:1.2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅
    更新:2022-07-26 13:58:58
  • 1945
  • 名称:STD70N10F4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:19.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-
    更新:2022-07-26 13:57:04
  • 1946
  • 名称:STD7NM60N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:900 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-26 13:55:10
  • 1947
  • 名称:STD7NS20T4
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:7 ARds On-漏源导通电阻:350 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源
    更新:2022-07-26 13:53:25
  • 1948
  • 名称:STD85N3LH5
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 22 V, + 22 V最小工作温度:- 55
    更新:2022-07-26 13:51:35
  • 1949
  • 名称:STD8NM60N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:7 ARds On-漏源导通电阻:650 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V最小工作温度:-
    更新:2022-07-26 11:12:37
  • 1950
  • 名称:STD9NM60N
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:745 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-
    更新:2022-07-26 11:10:38
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