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深圳市炎凯科技有限公司
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深圳市炎凯科技有限公司
会员类别：VIP 7年
营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳市
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 1951
  • 名称：STEVAL-ESC001V1
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:电源管理IC开发工具RoHS: 详细信息产品:Evaluation Boards类型:Motor/Motion Controller & Driver输入电压:11.1 V to 22.2 V工具用于评估:STM32F303, L6398, STL160NS3LLH7系列:STEVAL-ESC001V1商标:STMicroelectronics接口类型:CAN, I2C, UART封装:Bulk产品类型:Power Management IC Development Tools工厂包装数量:1子类别:Development Tools单位重量:11.300 g
    更新：2022-07-26 11:08:05
  • 1952
  • 名称：STF10N60M2
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:7.5 ARds On-漏源导通电阻:560 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVg
    更新：2022-07-26 11:06:04
  • 1953
  • 名称：STF10N62K3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:620 VId-连续漏极电流:8.4 ARds On-漏源导通电阻:680 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVg
    更新：2022-07-26 11:04:08
  • 1954
  • 名称：STF10N80K5
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:9 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs
    更新：2022-07-26 11:02:19
  • 1955
  • 名称：STF10NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
    更新：2022-07-26 10:59:49
  • 1956
  • 名称：STF12NK65Z
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:570 mOhms商标名:SuperMESH封装:Tube商标:STMicroelectronics配置:Single产品类型:MOSFET系列:STF12NK65Z工厂包装数量:50子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel单位重量:2 g
    更新：2022-07-26 10:57:56
  • 1957
  • 名称：STF12NM65
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220FP-3商标:STMicroelectronics产品类型:MOSFET系列:STF12NM65工厂包装数量:50子类别:MOSFETs单位重量:2 g
    更新：2022-07-26 10:56:09
  • 1958
  • 名称：STF130N10F3
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:29 ARds On-漏源导通电阻:9.6 mOhmsPd-功率耗散:35 W封装:Tube商标:STMicroelectronics配置:Single产品类型:MOSFET系列:STF130N10F3工厂包装数量:50子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel单位重量:2 g
    更新：2022-07-26 10:54:41
  • 1959
  • 名称：STF13N60M2
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:380 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
    更新：2022-07-26 10:52:45
  • 1960
  • 名称：STF13NM60N
    类别：eof
    市场价：
    本站价：
    说明：制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:360 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs
    更新：2022-07-26 10:50:56
电话： 0755-89587732 0755-89587732-8004 传真：-- Email： 联系人： 白小姐 范小姐 深圳市龙岗区中浩一路孺子牛大厦
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