- 深圳市炎凯科技有限公司
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经营模式：IC经销商
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 591
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- 名称：DMG6968U-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:25 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
- 更新：2022-08-22 15:16:36
- 592
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- 名称：DMG6968UDM-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-26-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.5 ARds On-漏源导通电阻:24 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs th-栅
- 更新：2022-08-22 15:15:00
- 593
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- 名称：DMG7430LFG-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PowerDI3333-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:10.5 ARds On-漏源导通电阻:11 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVg
- 更新：2022-08-22 15:13:11
- 594
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- 名称：DMG8601UFG-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:U-DFN3030-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:6.1 ARds On-漏源导通电阻:17 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 VVgs t
- 更新：2022-08-22 15:00:56
- 595
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- 名称：DMG9926UDM-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-26-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:4.2 ARds On-漏源导通电阻:22 mOhms, 22 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V
- 更新：2022-08-22 14:58:53
- 596
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- 名称：DMMT3904W-7-F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:NPN配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:6 V集电极—射极饱和电压:300 mV最大直流电集电极电流:200 mA
- 更新：2022-08-22 14:54:57
- 597
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- 名称：DMMT5401-7-F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-26-6晶体管极性:PNP配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V集电极—基极电压 VCBO:160 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—射极饱和电压:500 mV最大直流电集电极电流:200 m
- 更新：2022-08-22 14:47:18
- 598
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- 名称：DMMT3906W-7-F
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:PNP配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V集电极—基极电压 VCBO:40 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—射极饱和电压:400 mV最大直流电集电极电流:200 mA
- 更新：2022-08-22 14:53:08
- 599
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- 名称：DMN10H099SK3-13
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:17 ARds On-漏源导通电阻:69 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅
- 更新：2022-08-22 14:41:34
- 600
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- 名称：DMN2004DWK-7
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:540 mARds On-漏源导通电阻:550 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-
- 更新：2022-08-22 14:37:23
